Корпоративные решения в области информационных технологий

Новости и события

22.08.2011

Компания Samsung объявила о разработке модулей оперативной памяти DDR3 RDIMM ёмкостью 32 Гбайт. Микросхемы памяти этих модулей выполнены по технологическому процессу 30-нм класса с применением технологии межслойных соединений TSV (Through Silicon Via).

Микросхема способна передавать данные со скоростью 1333 Мбит/с, что примерно на 70% превосходит показатели решений предыдущего поколения. Кроме возросших характеристик быстродействия, новые модули потребляют не более 4.5 ватт энергии - как утверждает производитель, это самый низкий показатель среди всех предложений аналогичного объёма. Данных о стоимости или сроках появления модулей памяти в продаже не сообщается.


Возврат к списку

КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

ООО «Джи-Эс-Ти»
+7 (846) 340-61-91, 340-58-80, 332-29-29
443099, Россия, г. Самара, ул. Чапаевская, д. 112А (карта проезда)
sales@gst-samara.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН Подписаться на новости